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H-KTP电光Q开关

H-KTP电光Q开关

  • 所属分类:电光开关
  • 浏览次数:
  • 发布日期:2020-02-20
  • 产品概述
  • 性能特点
  • 技术参数

产品详情:
  H-KTP晶体,采用水热法生长,克服了普通熔盐法KTP晶体最常见的缺陷——“灰迹(Gray Track)”现象,具有高抗激光损伤阈值和高抗灰迹的能力,能够长期稳定的应用于中高功率、高重复频率和高转换效率的激光系统。
  H-KTP晶体有良好的电光效应,可以用来做电光调Q开关和电光调制开关(普克尔盒), 我司可以提供H-KTP电光Q开关配套的水冷结构设计,因此可以应用于更高功率。快谱光电专业提供各种电光开关,接受特殊定制,定制设计周期为1 - 2周,应用于各种复杂环境,应用功率可高达几百瓦。

H-KTP电光Q开关


产品特性:

       ●高转换效率:60% - 70%

       ●高光学均匀性:Δn<10-5

       ●低电导率:10-10/Ω•cm

       ●单畴结构

       ●低吸收率:<2000ppm/cm @532mm

       <150ppm/cm @1064mm

 


H-KTP电光Q开关


H-KTP电光Q开关


H-KTP标准要求

通光口径

2mm × 2mm to 8mm × 8mm

zui大通光长度

15mm

尺寸公差

(宽±0.1mm)×(高±0.1mm)×(长±0.2mm)

zui大平均能量密度

4kW/cm2 @532nm

波前畸变

<λ/8 @633nm

通光面平面度

<λ/8 @633nm

通光面光洁度

<10/5 (美军标MIL-13830A)

通光面平行度

<20秒

侧面垂直度

<5分

常用膜

AR/AR@1064&532nm

增透膜反射率

R< 0.2% @1064nm,R<0.5% @532 nm

增透膜损伤阈值

600MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz

1064nm 光的透过率

>98.5%

应用范围:
  ●脉冲选择
  ●电光调制、电光调Q


产品优点:
  ●低插入损耗
  ●低半波电压
  ●不潮解
  ●宽的透光波段
  ●高抗激光损伤阈值
  ●无压电振铃效应
  ●自动温度补偿范围宽 


产品规格:

标准规格(Z切DKDP晶体)

单晶DKDP开关

序列号

通光孔径

外壳尺寸(可按客户设计)

四分之波电压

电容

CPHPC-4

3.6 mm

Ф20×35mm

1000V at 20ºC

<4pF

CPDPC-8

7.6 mm

加底座支架

2000V at 20ºC

<5pF

消光比

>150:1



光学性质

 H-KTP电光Q开关


H-KTP电光开关在100kHz下工作:


H-KTP电光Q开关



 

 



 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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