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掺钕钒酸钇晶体资讯

2019-12-05

产品特性:

  掺钕钒酸钇(Nd:YVO4)晶体是一种性能优良的激光晶体,常应用于半导体泵浦尤其是中低功率的激光器。与Nd:YAG相比Nd:YVO4晶体的优势是对泵浦光有更高的吸收系数和更大的受激发射截面,能输出线性偏振光。半导体泵浦条件Nd:YVO4晶体与LBO, BBO, KTP等高非线性系数的晶体配合使用,能够达到更好的倍频转换效率。


掺钕钒酸钇晶体


掺钕钒酸钇晶体



  应用范围:

  可以应用于输出近红外、绿色、蓝色到紫外线(RGB激光器)等全固态激光器。而且Nd:YVO4晶体使半导体泵浦固态激光器更小型化,另外拓展了单纵模输出方面。Nd:YVO4激光器在加工、医学、激光印刷、数据存储等多个领域有着广泛的应用,此外,Nd:YVO4和Nd:YVO4键合晶体的应用领域还在不断拓宽。



  优势:
  ●在808nm左右的泵浦带宽,约为Nd:YAG的5倍
  ● 在1064nm处的受激发射截面是Nd:YAG的3倍
  ● 光损伤阈低,高斜率效率
  ●双轴晶体,输出为线偏振光

 

标准要求

截面

~ 12mm2

长度

0.5 ~ 30mm

平面度

λ/8 @ 633nm

波前畸变

 

λ/8 @ 633nm

侧垂

<5 arc min.

受激辐射截面

25 x10-19cm2

平行

<10 arc sec.

常规波长应用

1064nm;1342nm;914nm

浓度范围

0.1% ~ 3%

浓度控制精度

±0.05%

定向

a-cut, c-cut

定向精度

<6 arc min.

光洁度

10/5 膜后 20/10

损伤阈值

800MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz

镀膜

Coatings

AR/AR@ 1064nm&808nm(R<0.2%);AR/AR@ 1064nm&808nm&880nm(R<0.2%)

AR/AR@ 1064nm&808nm&1342nm(R<0.5%)

AR/AR@ 1064nm&808nm&914nm(R<0.5%)

(表1)


标准规格

序列号

浓度

晶体尺寸

膜系

CPNDEO-03-0310

0.3%

3x3x10mm3

AR/AR @ 1064nm + 808nm

CPNDEO-05-0415

0.5%

4x4x15mm3

AR/AR @ 1064nm + 808nm

CPND-05-0430-W

0.5%

4x4x30 mm3

AR/AR @ 1064+(800-895)nm

CPND-03-0308

0.3%

3x3x8mm3

AR/AR @ 1064+808+1342nm

CPNDDBC-0.3-0310

0.3%

3x3x(2+8)mm3

AR/AR @ 1064nm + 808nm

CPNDDBC-03-0320

0.3%

3x3x(2+16+2)mm3

AR/AR @ 1064nm + 808nm

可提供浓度范围

0.1%~ 3%

浓度控制精度

±0.05%

定向:

A-cut

C-cut

受激辐射截面

25x10-19cm2 1064nm

定向精度

<6分

损伤阈值

800MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz

常规波长应用

1064nm; 1342nm; 914nm

我司可提供Nd:YVO4单端, 双端键合晶体以及YAG+Nd:YAG, Nd:YAG+Cr:YAG, Yb:YAG+Cr:YAG键合晶体等。

(表2)



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