掺氧化镁铌酸锂(MgO:LN)电光Q开关资讯

2019-12-05

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产品特性:
　　调Q开关厂家告诉您:光学级掺氧化镁铌酸锂（MgO:LN）晶体以及铌酸锂（LN）晶体拥有较好的电光性能，非线性系数大，光学均匀性好，机械及化学性能稳定，不潮解，半波电压低，其缺点是消光比低，抗损伤阈值低，常被应用于低重复频率（100Hz）。

应用范围：
　　MgO:LN以及LN电光调Q开关应用广泛，常被应用于Er:YAG, Ho:YAG, Tm:YAG激光器中，适应于低功率调Q输出，尤其在激光测距领域发挥着重要的作用。本公司推出LN电光开关和电光调制器可为客户提供最紧凑的小体积设计，可按客户要求改变外壳图纸，便于最终调试和应用。

掺氧化镁铌酸锂(MgO:LN)电光Q开关

标准要求（LN电光调Q及电光调制器）
截面	zui大	20 x 20 mm²
	zui小	4 x 1mm2
长度	zui大	60 mm
	zui小	5 mm
定向		10分
平面度		λ/8 @ 633nm
透过畸变		λ/4 @ 633nm
光学平行		< 20 arc sec.
侧垂		< 5 arc sec.
光洁度		10-5 膜后20-10
输入/输出端镀膜		300-3000nm可订制
质量有效期		一年

标准规格
序列号	通光孔径	外壳尺寸（可按客户设计）	半波λ/4电压
CPLPC-025-633nm-M	2.5mm	直径20mm x66mm 晶体尺寸 4x2.5x60mm	400V λ/2 at 633nm电光调制
CPLPC-05-633nm-M	5mm	直径25.4mm x36mm 晶体尺寸 5x5x30mm	800V λ/2 at 633nm电光调制
CPMLPC-09-1064nm-Q	9 mm	直径30mm x 26mm	2100V λ/4 at 1064nm 电光调Q
CPMLPC-06-1064nm-Q	6 mm	直径25.4mm x 26mm	1400V λ/4 at 1064nm 电光调Q
CPMLPC-09-1064-Q-S	9mm	方型设计 18 x 17 x 20mm	2100V λ/4 at 1064nm 电光调Q
整体透过率	>98%	晶体透过畸变	λ/6 @ 633nm
插入损耗	2%	晶体平面度	λ/8 @ 633nm
建议输出调Q能量	100 mJ	消光比	300:1 - 500:1
电容	5pF	X面镀金铬电极
损伤阈值	100 MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz （LN开关） 200 MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz （MgO:LN开关）