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RTP电光开关
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BBO电光Q开关

BBO电光Q开关

  • 所属分类:电光开关
  • 浏览次数:
  • 发布日期:2020-02-20
  • 产品概述
  • 性能特点
  • 技术参数

  BBO电光晶体介绍:相对于传统的KD*P电光调制晶体,BBO(偏硼酸钡β-BaB2O4)晶体具有极低的吸收系数,弱的压电振铃效应,更宽的光谱透过范围(210-2000nm)等优点。相对于RTP电光调制晶体,BBO晶体具有更高的消光比、抗损伤阈值和温度适应性,有利于提高激光输出功率的稳定性。因此,由BBO晶体制成的电光Q开关常被应用于高重复频率(1MHz),高功率(高达1000W)的电光调Q固体激光器,腔倒空调Q激光器和全固态皮秒、飞秒再生放大激光系统中,我们也提供配套的调制,调Q,选单,再生放大等驱动电源。由于电光Q开关的的关断时间(<4ns)远短于声光Q开关的关断时间(<100ns),因此,采用BBO电光 Q开关的全固态短腔调Q激光器可产生脉冲宽度小于4ns的高能激光,是作为电光内雕机的建议光源。在无需水冷的情况下,BBO电光Q开关可关断并承受高达150W的腔内振荡光功率(激光输出功率高达50W)。BBO晶体缺点是电光系数小,半波电压相对较高,因此可通过增长晶体长度、减少电极间距,以及采用两块BBO晶体串联方式来减少半波电压和四分之波电压。COUPLETECH从应用角度特意推出单晶,双晶BBO电光Q开关,BBO电光调制器等常规产品。


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产品特点及优势:
  ●插拔式电极插针
  ●硬陶瓷端盖设计
  ●通光孔径小于晶体横截面的设计
  ●抗高功率抗高温材料壳体设计
  ●特有的低应力装配技术
  ●超高要求的晶体质量控制
  ●超小的体积,超轻的质量,超紧凑的设计


BBO电光晶体标准要求


截面

1 x 1 ~ 12 x 12 mm² (其他尺寸可订制)

长度

20mm - 28 mm (其他尺寸可订制)

定向精度

10 arc min

平面度

λ/8 @ 633nm

透过畸变

λ/8 @ 633nm

光学平行

20 arc sec.

侧垂

10 arc sec.

光洁度

10-5 膜后40-20

端面镀膜

AR/AR @1064nm (R<0.2%)

(图1)

  

 

BBO单晶电光开关规格参数

产品型号

CPBPC-02

CPBPC-03

CPBPC-04

CPBPC-05

CPBPC-02L

CPBPC-03L

CPBPC-04L

CPBPC-05L

通光孔径, mm

1.8

2.8

3.6

4.6

1.8

2.8

3.6

4.6

晶体尺寸, (W×H×L), mm³

2x2x20

3x3x20

4x4x20

5x5x20

2x2x25

3x3x25

4x4x25

5x5x25

λ/4电压 (@ 1064 nm), kV DC

2.4kV

3.6kV

4.8kV

6.0kV

1.9kV

~2.9kV

3.9kV

4.8kV

电容, pF

4

4

4

4

5

5

5

5

外壳尺寸mm

φ20×35

φ25×35

φ20×35

φ25×35

透过率(%)

99

消光比

>1000:1

通光孔径 mm

最大可供12x12截面

端面镀膜波长

210-2000nm可订制

抗光伤阈值

600MW/cm2 @10ns,10Hz,1064nm

(图2)

 

BBO双晶电光开关规格参数

产品型号

CPDBPC-03

CPDBPC-04

CPDBPC-05

CPDBPC-03L

CPDBPC-04L

CPDBPC-05L

通光孔径, mm

2.8

3.6

4.6

2.8

3.6

4.6

晶体尺寸, (W×H×L), mm³

3x3x20

4x4x20

5x5x20

3x3x25

4x4x25

5x5x25

λ/4电压 (@ 1064 nm), kV DC

1.8kV

2.4kV

3.0kV

1.5kV

2.0kV

2.4kV

电容, pF

8

8

8

10

10

10

透过率(%)

98

消光比(Voltage-Free)

>500:1

外壳尺寸, mm

25.4

x60

(图3)



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