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BBO电光Q开关资讯
2019-12-05
相对于传统的KD*P电光调制晶体,BBO(偏硼酸钡β-BaB2O4)晶体具有极低的吸收系数,弱的压电振铃效应,更宽的光谱透过范围(210-2000nm)等优点。相对于RTP电光调制晶体,BBO晶体具有更高的消光比、三倍频晶体厂家告诉您:
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DKDP电光Q开关资讯
2019-12-05
产品特性: 磷酸二氘钾DKDP(KD*P)晶体光学损耗低,消光比高,电光性能好,应用广泛,通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘钾晶体(DKDP)利用其纵向效应制成电光调Q开关,适合用于脉冲固体激光器中,通常应用于低重复频率条件时激光美容与激
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H-KTP电光Q开关资讯
2019-12-05
产品详情: H-KTP晶体,采用水热法生长,克服了普通熔盐法KTP晶体最常见的缺陷——“灰迹(GrayTrack)”现象,具有高抗激光损伤阈值和高抗灰迹的能力,能够长期稳定的应用于中高功率、高重复频率和高转换效率的激光系统。 H-KT
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LGS晶体和Q开关资讯
2019-12-05
硅酸镓镧晶体(LGS晶体)是一种具有很高损伤阈值的光学非线性材料,电光系数高,电光性能优良,属于三方晶系结构,热膨胀系数较小,热膨胀各向异性较弱,高温的温度稳定性好(优于石英晶体),具有的两个独立电光系数,与BBO晶体的电光系数相当,很
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PCDS-10KV-2KHz电光驱动盒资讯
2019-09-10
产品型号:PCDS-10KV-2K驱动盒参数zui小值zui大值输出电压(V)400010000重复频率(Hz)12000输出脉宽(us)120000上升/下降沿(ns)1215(表1)输出脉冲形式(双极性输出): 设备描述:前面板
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RTP电光开关资讯
2019-12-05
RTP(RubidiumTitanylePhosphate–RbTiOPO4)是KTP晶体的同类型晶体,有更高的电光性能,可用于电光效应以及非线性效应方面。RTP晶体具有较高的损伤阈值(约为KTP的1.8倍)、电阻率高、重复频率高、
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