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电光开关
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济南快谱光电技术有限公司

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DKDP电光Q开关资讯

2019-12-05

产品特性:
  磷酸二氘钾DKDP(KD*P)晶体光学损耗低,消光比高,电光性能好,应用广泛,通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘钾晶体(DKDP)利用其纵向效应制成电光调Q开关,适合用于脉冲固体激光器中,通常应用于低重复频率条件时激光美容与激光医疗等领域,但是因为DKDP晶体电光应用的缺点是四分之波电压比较高,1KHz以上有振铃效应,快谱光电可提供DKDP电光调制器,DKDP单晶,双晶电光开关等产品。
  因DKDP晶体本身的易潮解性以及机械性能较差,建议使用时需注意在以下操作环境下使用:温度操作范围:10~50度,温度变化每20分钟不宜超过5度,环境湿度:<40% ,尽量搭配湿度控制装置(干燥器皿及干燥剂)使用,不使用时请存储于干燥箱内。
  注:由于DKDP普克尔盒所需施加的四分之一波长电压和半波电压与温度有关,在1064nm波长下,四分之一波长电压随温度变化的规律是温度每升高1ºC,所需四分之一波长电压升高约50V。即,dV/dT约为+50V/ºC 。


DKDP电光Q开关


DKDP电光Q开关


DKDP电光Q开关



应用范围:
  ●染料激光器800nm二、三倍频以及1064nm 二、三、四倍频
  ●电光调制、电光调Q
  ●高速摄像开关



KDP & DKDP电光晶体标准要求

截面

5 x 5 ~ 50 x 50 mm²

长度

2 mm ~ 40 mm

超大尺寸

100x100mm2

含氘量

>96%

平面度

λ/8 ~ λ/4 @ 633nm

波前畸变

λ/8 ~ λ/4 @ 633nm

定向精度

0.2°

透过畸变

λ/8 @ 633nm

光学平行

< 20 arc sec.

侧垂

< 10 arc sec.

光洁度

10-5 膜后20-10 or 40-20

倒边

<0.2mm x 45°

镀膜指标

AR/AR 1064nm (R<0.2%@1064nm)

损伤阈值

350MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz

 


KDP与DKDP晶体属性参数


DKDP

KDP

化学式

KH2PO4

KD2PO4

透光波段

200-2150nm

178-1580nm

非线性系数

d36=0.40pm/V

d36=0.44pm/V

电光系数

γ63=25pm/V  γ41=8.8pm/V

γ63=10.3pm/V  γ41=8.8pm/V

吸收系数

0.005/cm

0.07/cm

半波电压

2.98KV 546nm

7.65KV 546nm


标准要求(DKDP电光调Q及电光调制器)

截面

最大

直径50 mm²


最小

直径5 mm2

长度

最长

40 mm

透过畸变

λ/8 @ 633nm

光学平行

< 20 arc sec.

侧垂

< 5 arc sec.

光洁度

10-5 膜后20-10

四分之一波电压

3.2kV at 1064nm, 20ºC

半波电压

6.4kV at 1064nm, 20ºC

输入/输出端 镀膜

300-1200nm可订制

透过畸变

λ/8 @ 633nm

整体透过率

>98%

损伤阈值

350 MW/cm2 at 1064nm, 10ns, 1Hz

DKDP电光Q开关

标准规格(Z切DKDP晶体)

单晶DKDP开关

序列号

通光孔径

外壳尺寸(可按客户设计)

四分之波电压

电容

CPDPC-15

Dia.15 mm

Ф35×45mm

3300V at 20ºC

<15pF

CPDPC-12

Dia.12 mm

Ф32×40mm/Ф25.4×33mm

3300V at 20ºC

<7pF

CPDPC-10

Dia.10mm

Ф32×40mm/Ф25.4×33mm

3300V at 20ºC

<6pF

CPDPC-08

Dia.8mm

Ф20×35mm/Ф19×25mm

3300V at 20ºC

<5pF

消光比

>1500:1

双晶DKDP开关

序列号

通光孔径

外壳尺寸(可按客户设计)

四分之波电压

电容

CPDDPC-10

Dia.10mm

Ф50×70mm

1600V at 20ºC

<15pF

CPDDPC-08

Dia.8mm

Ф50×70mm

1600V at 20ºC

<7pF

消光比

>500:1




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