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LGS晶体和Q开关资讯

2019-12-05

  硅酸镓镧晶体(LGS晶体)是一种具有很高损伤阈值的光学非线性材料,电光系数高,电光性能优良,属于三方晶系结构,热膨胀系数较小,热膨胀各向异性较弱,高温的温度稳定性好(优于石英晶体),具有的两个独立电光系数,与BBO晶体的电光系数相当,很大的温度范围内电光系数值保持稳定,该晶体机械性能好、无解离性、不潮解、物理化学性质稳定,具有非常好的综合性能。LGS晶体具有宽的透过波段,从紫外242nm-3550nm都具有很高的透过率。可应用于电光调制、电光调q,缺点是电压较高。


LGS晶体和Q开关


  LGS晶体具有很广泛的应用范围:除了压电效应、旋光效应外,其电光效应性能也非常优越高重复频率、大截面通光孔径、窄脉宽、高功率、高低温等情况LGS晶体电光Q开关都适用,我们应用LGS晶体的电光系数γ11来制作Q开关,选择其较大的纵横比来降低Q开关的半波电压,可应用于更高功率重复频率的全固态激光器的电光调Q,比如:可应用于高平均功率能量大于100W的LD泵浦的Nd:YVO4全固态激光器,zui高频率可达300KHZ,zui高输出可达715w,脉宽为46ns,连续输出可以达到近10w,光损伤阈值是LiNbO3晶体的9-10倍以上,1/2波电压和1/4波电压比同口径BBO开关低,且材料和装配成本低于同口径RTP开关,和DKDP开关比较,不潮解,温度稳定性好,可以应用在恶劣环境,是性能优异的可以满足不同应用领域的电光开关


基本属性:

化学式

La3Ga5SiQ14

晶格参数

三方晶体a=b=7.453A。,c=6.293A。

密度

5.75g/cm3

熔点

1470℃

透过波段

242-3200nm

折射率

1.89

电光系数

Y41=1.8pm/V,γ11=2.3pm/V

电导率

1.7x1010Ω.cm

潮解性

不潮解

 

热膨胀系数

α11=5.15x10-6/K(⊥Z-axis);

α33=3.65x10-6/K(∥Z-axis)

 

标准要求:

晶体尺寸

2 x 2 - 8 x 8 mm

外壳尺寸

Dia.20-35 mm

消光比

>500:1

透过畸变

λ/6 @ 632.8nm

整体透过率

>98% @ 1064nm

电极间隔离性

<1

光洁度

20/10

(膜后40/20)

电容

8 pF

镀膜

AR/AR @ 1064nm (R<0.2%)

抗光伤

900MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm

 

常规尺寸:

型号

CPLGPC-08-1064nm

CPLGPC-08-1064nm-C

外壳尺寸

Dia.30 x 55mm

带底座支架,紧凑型设计

晶体尺寸

8 x 8 x 45 mm

消光比

>500:1

整体透过率

>98% 

1/4波电压

3.2 kv

透过畸变

λ/6

波长

其他波长可订制




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